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Autores
Orientador(es)
Resumo(s)
No presente trabalho realizou-se o estudo de um circuito de proteção, de sobrecorrente e sobretensão, para dois tipos de semicondutores de potência totalmente comandados, o MOSFET e o IGBT.
Este trabalho inicia-se apresentando o MOSFET e IGBT como dispositivos semicondutores de potência amplamente disseminados na indústria. Em seguida são estudadas as técnicas apresentadas na literatura, para proteção de sobrecorrente e sobretensão, tendo-se definido igualmente as utilizadas neste trabalho. Após, com recurso ao software LTspice realizou-se um estudo preliminar do circuito em questão, para posterior dimensionamento de uma placa PCB. Por ´ultimo realizou-se a obtenção de resultados experimentais, e posterior comparação com os obtidos via software. Os resultados experimentais, obtidos via LTspice e em ambiente laboratorial, tiveram como principal foco o dispositivo MOSFET.
In this work a study was conducted regarding a protection circuit against overcurrent and overvoltage conditions, of two types of power semiconductors, the MOSFET and the IGBT. The first step in this work pertains to the theoretical study the MOSFET and IGBT as two widely available power semiconductor devices. After, protection schemes for overcurrent and overvoltage, available in the literature, are exploited and analyzed in this work, having the ones subject to practical tests also been described. Upon this first step, and by using the capabilities of the software LTspice, preliminary research regarding the circuit subject to study was made, for subsequent construction of a PCB board. Finally, experimental data was gathered and compared against the one acquired via software. The experimental results, obtained via LTspice and in practical tests, delved primarily on the MOSFET power semiconductor.
In this work a study was conducted regarding a protection circuit against overcurrent and overvoltage conditions, of two types of power semiconductors, the MOSFET and the IGBT. The first step in this work pertains to the theoretical study the MOSFET and IGBT as two widely available power semiconductor devices. After, protection schemes for overcurrent and overvoltage, available in the literature, are exploited and analyzed in this work, having the ones subject to practical tests also been described. Upon this first step, and by using the capabilities of the software LTspice, preliminary research regarding the circuit subject to study was made, for subsequent construction of a PCB board. Finally, experimental data was gathered and compared against the one acquired via software. The experimental results, obtained via LTspice and in practical tests, delved primarily on the MOSFET power semiconductor.
Descrição
Trabalho Final de Mestrado para Obtenção do Grau de Mestre em Engenharia Eletrotécnica - Ramo Automação e Eletrónica Industrial
Palavras-chave
MOSFET IGBT Proteção Ativa de sobrecorrente Proteção de sobretensão Active overcurrent circuit protection Overvoltage circuit protection
Contexto Educativo
Citação
FIGUEIRINHAS, Miguel Loureiro – Estudo das Proteções de Sobrecorrente e Sobretensão em Semicondutores de Potência Totalmente Comandados. Lisboa: Instituto Superior de Engenharia de Lisboa. 2023. Dissertação de Mestrado.
Editora
Instituto Superior de Engenharia de Lisboa