Estatísticas para Interdiffusion at Sb/Ge interfaces induced in thin multilayer films by nanosecond laser irradiation
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| Interdiffusion at Sb/Ge interfaces induced in thin multilayer films by nanosecond laser irradiation | 104 |
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| Estados Unidos | 35 |
| China | 32 |
| Índia | 6 |
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| Alemanha | 4 |
| Portugal | 4 |
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