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Autores
Orientador(es)
Resumo(s)
Neste trabalho estudamos as propriedades ópticas e o transporte electrónico em semicondutores de grande hiato, usando uma abordagem relacionada com a desordem estrutural frequentemente encontrada nestes materiais. Observamos uma variedade de características da fotocorrente transiente (TPC) e fotoluminescência transiente (TPL) que não podem ser explicados no âmbito dos mecanismos “canónicos” de relaxação electrónica, que são, para TPC, o modelo de Captura Múltipla (MT) de portadores livres e, para TPL, o modelo de recombinação entre pares de dadores e aceitadores (DAP) localizados. Em consequência, desenvolvemos um novo modelo analítico (Modelo TR) que integra a evidência experimental complementar de dispersão espacial (DAP) e dispersão energética (caudas das bandas). O modelo baseia-se na competição entre a termalização e recombinação (TR) de portadores minoritários capturados em estados energéticos, distribuídos exponencialmente em energia, e localizados no espaço. O modelo descreve a dependência da TPL da energia e do tempo, em excelente concordância com os dados experimentais, e revela a correlação entre TPL e TPC.
Descrição
Palavras-chave
Propriedades ópticas Transporte electrónico transiente Dispersão espacial Dispersão energética
Contexto Educativo
Citação
NIEHUS, Manfred – Propriedades ópticas e transporte electrónico transiente, relacionados com a desordem, em semicondutores de grande hiato. In JETC05 - Jornadas de Engenharia de Eletrónica e Telecomunicações e de Computadores. Lisboa, Portugal: ISEL – Instituto Superior de Engenharia de Lisboa, 2005. Pp. 1-6
Editora
ISEL - Instituto Superior de Engenharia de Lisboa